三星电子上周高调宣布开发出 8nm 射频(RF)芯片制程技术,希望抢攻 5G 领域晶圆代工订单。

据悉,三星开发了一种独特的 8nm 射频专用架构,名为 RFextremeFET (RFeFET™),可以显着改善射频,同时使用更少的功率。

与 14nm RF 相比,三星的 RFeFET 补充了数字 PPA 缩放并同时恢复了模拟 / RF 缩放,从而实现了高能 5G 。此外,新的 8nm RF 芯片可提高 35% 的效率且减少 35% 的面积。

据 Newsis 等消息,三星计划以 8nm RF 晶圆代工工艺技术服务,以此抢攻 5G 领域。

据介绍,三星这种尖端的代工技术有望提供“单芯片解决方案”,专门用于支持多通道和多天线芯片设计的 5G 通信。三星的 8nm 射频扩展有望将公司在 5G 半导体市场的领先地位从低于 6GHz 扩展到毫米波应用。

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